QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别比照
SLC（单面存储单元）
全称为Single-Level Cell，单面电子结构，每一个cell可以储放1bit数据信息，SLC做到1bit/cell，载入数据库的情况下电压波动区段小，P/E使用寿命很长，基础理论可读写频次在10千次之上，但由于成本费最大，因此SLC颗粒大部分用以公司级高端品牌中。
MLC（两层存储单元）
全称为Multi-Level Cell，应用多少工作电压的有所不同搭建的两层电子结构，MLC做到2bit/cell，P/E使用寿命很长，基础理论可读写频次在3000-5000次以上，成本费也较高，但对于消费级而言也能接受，一般用于家庭用级高端品牌中。
TLC（三层存储单元）
全称为Trinary-Level Cell，三层式存储单元，是MLC闪存芯片延展，TLC做到3bit/cell，因为存取时间比较高，因此容积本质上是MLC的1.5倍，成本低，可是P/E使用寿命相对性要低一些，基础理论可读写频次在1000-3000次不一，是现在市面上热门的闪存芯片颗粒。
QLC（四层存储单元）
全称为Quad-Level Cell，四层式存储单元，QLC闪存芯片颗粒有着比TLC更高存取时间，与此同时价格上对比TLC变低，优点就是能将容积做出来的更高，价格上变低，缺点便是P/E使用寿命较短，基础理论可读写频次仅150次。
SLC＞MLC＞TLC＞QLC，日常使用无论是办公还是游戏，TLC一般都足够,QLC不推荐购买了
QLC颗粒为什么不好？
每一个Cell模块存放数据越大，利用系数容积也就越高，但与此同时也会导致不一样工作电压情况越大，而且会难操纵，因此选用QLC颗粒的固体，尽管容积更高价钱比较便宜，可是可靠性较弱，而且P/E使用寿命比较低，速率比较慢。
